Name: onsemi NTLUS3C18PZTBG
Brand: onsemi
SKU: NTLUS3C18PZTBG
Availability: InStock
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onsemi NTLUS3C18PZTBG

Artikelnummer:

NTLUS3C18PZTBG

Hersteller / Marke:

AMI Semiconductor/onsemi

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN

Datenblätte:

1.NTLUS3C18PZTBG.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf onsemi RoHS.pdf NTLUS3C18PZ.pdf

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RoHs Status:

ROHS3 -konform

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~onsemi NTLUS3C18PZTBG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTLUS3C18PZTBG.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	6-UDFN (1.6x1.6)
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 7A, 4.5V
Verlustleistung (max)	660mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	6-PowerUFDFN
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1570 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.8 nC @ 4.5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.4A (Ta)
Grundproduktnummer	NTLUS3
NTLUS3C18PZTBG Einzelheiten PDF [English]	NTLUS3C18PZTBG PDF - EN.pdf

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